49957FlashStorage
 1パッケージSSDというとスマにも搭載されている物ではあるので、携帯ゲーム機にも積まれるようになる可能性はあるかもしれません。
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[東芝メモリ: 96層3次元フラッシュメモリを搭載した1TB[注1] Single Package PCIe® Gen3 x4レーンSSDの出荷について]

 1年あまり前に64層NANDフラッシュメモリで最大容量512GBの1パッケージSSDを発表していた東芝メモリですが、今回は96層で最大1TBに達するSSDを発表。

当社は、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」と新規開発のコントローラーをsingle packageに納め、業界最速クラスのリード性能[注2]を実現した最大容量1,024GB[注3]のNVMe™ SSD「BG4シリーズ」を開発しました。本日から一部のPC OEM向けにサンプル出荷を開始し、2019年第2四半期(4月~6月)以降、順次出荷を拡大していく予定です。

新製品はPCIe® Gen3 x4レーンに対応し、シーケンシャルリード性能は最大2,250MB/s[注4]を実現します。またフラッシュメモリ管理技術の改良で、ランダムリード性能は業界最速[注5]となる最大380,000 IOPS[注4]を実現します。高いリード性能を持ったsingle package SSDとして、超薄型モバイルPCやIoTの組み込み系システム、サーバーやデーターセンターのブート用途など、小型で高速処理が求められる用途への適用が可能です。

「BG4シリーズ」は当社前世代品「BG3シリーズ」に比べてリード性能に加え、ライト性能や消費電力効率の改善も行っています。最新の「BiCS FLASH™」と新たに開発したコントローラーの採用で、シーケンシャルとランダムのライト性能は前世代品に比べてそれぞれ約70%[注6]と約90%[注6]改善し、消費電力効率はリードで最大約20%[注7]、ライトで最大約7%[注7]改善しました。

新製品は128 GB、256 GB、512 GB、1,024GBの四つの容量でラインアップし、512GBまでの容量の厚さは1.3mm[注8] 、フォームファクタはそれぞれ面実装タイプのM.2 1620 (16 x 20mm) と、抜き差し可能なモジュールタイプのM.2 2230 (22 x 30 mm) を展開します。大容量で消費電力効率を改善したSSDを薄型・小型パッケージで実現することにより、モバイルPCなどの薄型でフレキシブルなデザインの可能性を広げます。

[注1] 実際の記憶容量は1,024GBです。記憶容量の表記について、[注3]をご参考ください。

[注2] 2019年1月9日現在、single package SSDとして、東芝メモリ株式会社調べ。

[注3] 記憶容量:1GB(1ギガバイト)=1,000,000,000(10の9乗)バイト、1TB(1テラバイト)=1,000,000,000,000(10の12乗)バイトによる算出値です。1GB=1,073,741,824(2の30乗)バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。

[注4] 記録容量1,024 GBのモデルに対して、シーケンシャルリードは128 KiB単位で、ランダムリードは4KiB単位で、当社の試験環境において実施した際の性能です。該当性能はリファレンス・データとして製品仕様書に記載する性能と異なる可能性があります。

[注5] 2019年1月9日現在、single package SSDとして、東芝メモリ株式会社調べ。

[注6] BG4シリーズとBG3シリーズのベスト性能を有するBG4の1,024GBモデルとBG3の512GBモデルに対して、当社の試験環境において実施した際の「性能」の比較結果です。

[注7] BG4のPCIeⓇ Gen3 x4レーンとBG3のPCIeⓇ Gen3 x2レーンのモデルに対して、当社の試験環境において実施した際の「電力性能比」の比較結果です。

[注8] single packageの場合で128GB、256GB、512GBのモデルの厚さは1.3mm、最大容量の1,024GBのモデルの厚さは1.5 mmです。

 注釈にある通りパッケージの面積は変わりませんが、1TBモデルはやや厚くなっているためチップの積層数が変わっているようです。
 これも前型では512GBモデルが1.5mmだったので、より集積度が高まってはいるのですが。

 他には…読み込み速度は大幅に高速化されていますが電力効率の改善がそれに追いついていない為、連続読み込みをし続けるとかなり熱くなる場合というのはありそうですね。
 仮の話としてはゲーム機に入れる場合に時間当たりの読み込み容量を制限するなどして発熱を抑える、といった対策を取る必要も出てくるのでしょうか。

 今年はUFS3.0にCFexpressとNVMeと同程度の速度を実現するフラッシュメモリストレージが実際に製品として出てくる事になりそうで選択肢も増えてきましたし、PSP3(仮)が(仮に存在するとして)どのようなストレージを搭載してくるかというのは興味深い部分ではありますね。
 しかしPSP3(仮)がSSDを搭載する一方PS5は引き続きHDD、という事になったらストレージからの読み込みは圧倒的に携帯機の方が速い、という事になりかねないんですよね。
 私は前から書いている通り中間ストレージとしてSSDより相対的に小容量の不揮発性メモリを搭載してくる可能性はあるのではないかと考えていますけど、据置次世代機において容量とパフォーマンスのバランスをどう取るのか、というのは難しい所ではありそうです。

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